Vishay Siliconix SI6467BDQ-T1-E3 MOSFET P-CH 12V 6.8A 8-TSSOP を購入

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SI6467BDQ-T1-E3

MOSFET P-CH 12V 6.8A 8-TSSOP

部品番号

SI6467BDQ-T1-E3

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

シリーズ

TrenchFET®

部品のステータス

Obsolete

包装

Digi-Reel®

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

サプライヤーデバイスパッケージ

8-TSSOP

消費電力(最大)

1.05W (Ta)

FETタイプ

P-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

12V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

6.8A (Ta)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

12.5 mOhm @ 8A, 4.5V

Vgs(th) (最大) @ ID

850mV @ 450µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

70nC @ 4.5V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

1.8V, 4.5V

Vgs (最大)

±8V

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