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SI7469DP-T1-GE3

SI7469DP-T1-GE3

MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
部品番号
SI7469DP-T1-GE3
メーカー/ブランド
シリーズ
TrenchFET®
部品のステータス
Active
包装
Cut Tape (CT)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
PowerPAK® SO-8
サプライヤーデバイスパッケージ
PowerPAK® SO-8
消費電力(最大)
5.2W (Ta), 83.3W (Tc)
FETタイプ
P-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
80V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
25 mOhm @ 10.2A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
3V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
160nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
4700pF @ 40V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
4.5V, 10V
Vgs (最大)
±20V
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