Vishay Siliconix SI7940DP-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO-8 を購入

画像はイメージの場合もございます。
商品詳細は仕様をご覧ください。

DataSheets

SI7940DP-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO-8

部品番号

SI7940DP-T1-GE3

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

シリーズ

TrenchFET®

部品のステータス

Obsolete

包装

Cut Tape (CT)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

PowerPAK® SO-8 Dual

パワー - 最大

1.4W

サプライヤーデバイスパッケージ

PowerPAK® SO-8 Dual

FETタイプ

2 N-Channel (Dual)

FETの特徴

Logic Level Gate

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

12V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

7.6A

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

17 mOhm @ 11.8A, 4.5V

Vgs(th) (最大) @ ID

1.5V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

17nC @ 4.5V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

リクエスト引用

必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。できるだけ早く対応させていただきます。

在庫あり 46839 PCS

連絡先

関連製品

MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8