SI8417DB-T2-E1
MOSFET P-CH 12V 14.5A 2X2 6MFP
部品番号
SI8417DB-T2-E1
メーカー/ブランド
シリーズ
TrenchFET®
部品のステータス
Obsolete
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
6-MICRO FOOT™
サプライヤーデバイスパッケージ
6-Micro Foot™ (1.5x1)
消費電力(最大)
2.9W (Ta), 6.57W (Tc)
FETタイプ
P-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
12V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
14.5A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
21 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
900mV @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
57nC @ 5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
2220pF @ 6V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
1.8V, 4.5V
Vgs (最大)
±8V
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