SI8445DB-T2-E1
MOSFET P-CH 20V 9.8A MICROFOOT
部品番号
SI8445DB-T2-E1
メーカー/ブランド
シリーズ
TrenchFET®
部品のステータス
Obsolete
包装
Digi-Reel®
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
4-XFBGA, CSPBGA
サプライヤーデバイスパッケージ
4-Microfoot
消費電力(最大)
1.8W (Ta), 11.4W (Tc)
FETタイプ
P-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
20V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
9.8A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
84 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
850mV @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
16nC @ 5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
700pF @ 10V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
1.2V, 4.5V
Vgs (最大)
±5V
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