SI8469DB-T2-E1
MOSFET P-CH 8V 3.6A MICRO
部品番号
SI8469DB-T2-E1
メーカー/ブランド
シリーズ
TrenchFET®
部品のステータス
Last Time Buy
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
4-UFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ
4-Microfoot
消費電力(最大)
780mW (Ta), 1.8W (Tc)
FETタイプ
P-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
8V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
4.6A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
64 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
800mV @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
17nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
900pF @ 4V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
4.5V
Vgs (最大)
±5V
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