Vishay Siliconix SI8819EDB-T2-E1 MOSFET P-CH 12V 2.9A 4-MICROFOOT を購入

画像はイメージの場合もございます。
商品詳細は仕様をご覧ください。

もっと見る DataSheets

SI8819EDB-T2-E1

MOSFET P-CH 12V 2.9A 4-MICROFOOT

部品番号

SI8819EDB-T2-E1

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

シリーズ

部品のステータス

Active

包装

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

4-XFBGA

サプライヤーデバイスパッケージ

4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)

消費電力(最大)

900mW (Ta)

FETタイプ

P-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

12V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

2.9A (Ta)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

80 mOhm @ 1.5A, 3.7V

Vgs(th) (最大) @ ID

900mV @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

17nC @ 8V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

650pF @ 6V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

1.5V, 3.7V

Vgs (最大)

±8V

リクエスト引用

必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。できるだけ早く対応させていただきます。

在庫あり 49244 PCS

連絡先

関連製品

SI8800EDB-T2-E1

MOSFET N-CH 20V MICROFOOT