Vishay Siliconix SIA438EDJ-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 6A PPAK SC70-6L を購入

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SIA438EDJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 6A PPAK SC70-6L

部品番号

SIA438EDJ-T1-GE3

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

シリーズ

TrenchFET®

部品のステータス

Active

包装

Tape & Reel (TR)

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

PowerPAK® SC-70-6

サプライヤーデバイスパッケージ

PowerPAK® SC-70-6 Single

消費電力(最大)

2.4W (Ta), 11.4W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

20V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

6A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

46 mOhm @ 3.9A, 4.5V

Vgs(th) (最大) @ ID

1.4V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

12nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

350pF @ 10V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

2.5V, 4.5V

Vgs (最大)

±12V

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