Vishay Siliconix SIA477EDJ-T1-GE3 MOSFET P-CH 12V 12A SC-70-6L を購入

画像はイメージの場合もございます。
商品詳細は仕様をご覧ください。

もっと見る DataSheets

SIA477EDJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 12A SC-70-6L

部品番号

SIA477EDJ-T1-GE3

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

シリーズ

TrenchFET®

部品のステータス

Active

包装

Tape & Reel (TR)

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

PowerPAK® SC-70-6

サプライヤーデバイスパッケージ

PowerPAK® SC-70-6 Single

消費電力(最大)

FETタイプ

P-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

12V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

12A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

14 mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs(th) (最大) @ ID

1V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

87nC @ 8V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

2970pF @ 6V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

Vgs (最大)

リクエスト引用

必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。できるだけ早く対応させていただきます。

在庫あり 19852 PCS

連絡先

関連製品

SIA400EDJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A SC-70