Vishay Siliconix SIA850DJ-T1-GE3 MOSFET N-CH 190V 0.95A SC70-6 を購入

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SIA850DJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 190V 0.95A SC70-6

部品番号

SIA850DJ-T1-GE3

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

シリーズ

LITTLE FOOT®

部品のステータス

Obsolete

包装

Digi-Reel®

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

PowerPAK® SC-70-6 Dual

サプライヤーデバイスパッケージ

PowerPAK® SC-70-6 Dual

消費電力(最大)

1.9W (Ta), 7W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

Schottky Diode (Isolated)

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

190V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

950mA (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

3.8 Ohm @ 360mA, 4.5V

Vgs(th) (最大) @ ID

1.4V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

4.5nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

90pF @ 100V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

1.8V, 4.5V

Vgs (最大)

±16V

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