Vishay Siliconix SIB414DK-T1-GE3 MOSFET N-CH 8V 9A PPAK SC75-6 を購入

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SIB414DK-T1-GE3

MOSFET N-CH 8V 9A PPAK SC75-6

部品番号

SIB414DK-T1-GE3

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

シリーズ

TrenchFET®

部品のステータス

Obsolete

包装

Tape & Reel (TR)

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

PowerPAK® SC-75-6L

サプライヤーデバイスパッケージ

PowerPAK® SC-75-6L Single

消費電力(最大)

2.4W (Ta), 13W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

9A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

26 mOhm @ 7.9A, 4.5V

Vgs(th) (最大) @ ID

1V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

14.03nC @ 5V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

732pF @ 4V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

1.2V, 4.5V

Vgs (最大)

±5V

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