Vishay Siliconix SIB914DK-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6 を購入

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SIB914DK-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6

部品番号

SIB914DK-T1-GE3

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

シリーズ

TrenchFET®

部品のステータス

Obsolete

包装

Cut Tape (CT)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

PowerPAK® SC-75-6L Dual

パワー - 最大

3.1W

サプライヤーデバイスパッケージ

PowerPAK® SC-75-6L Dual

FETタイプ

2 N-Channel (Dual)

FETの特徴

Standard

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

1.5A

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

113 mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs(th) (最大) @ ID

800mV @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

2.6nC @ 5V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

125pF @ 4V

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