Vishay Siliconix SISA40DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V PPAK 1212-8 を購入

画像はイメージの場合もございます。
商品詳細は仕様をご覧ください。

DataSheets

SISA40DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V PPAK 1212-8

部品番号

SISA40DN-T1-GE3

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

シリーズ

TrenchFET® Gen IV

部品のステータス

Active

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

PowerPAK® 1212-8

サプライヤーデバイスパッケージ

PowerPAK® 1212-8

消費電力(最大)

3.7W (Ta), 52W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

20V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

43.7A (Ta), 162A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

1.1 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

1.5V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

53nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

3415pF @ 10V

Vgs (最大)

+12V, -8V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

2.5V, 10V

リクエスト引用

必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。できるだけ早く対応させていただきます。

在庫あり 8437 PCS

連絡先

関連製品

SISA01DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V POWERPAK 1212-8