Vishay Siliconix SISS10DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S を購入

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SISS10DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S

部品番号

SISS10DN-T1-GE3

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

シリーズ

TrenchFET®

部品のステータス

Active

包装

Tape & Reel (TR)

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

8-PowerVDFN

サプライヤーデバイスパッケージ

PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)

消費電力(最大)

57W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

40V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

60A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

2.65 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

2.4V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

75nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

3750pF @ 20V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

4.5V, 10V

Vgs (最大)

+20V, -16V

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