SQM120P10_10M1LGE3
MOSFET P-CH 100V 120A TO263
部品番号
SQM120P10_10M1LGE3
メーカー/ブランド
シリーズ
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
部品のステータス
Active
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-263 (D²Pak)
消費電力(最大)
375W (Tc)
FETタイプ
P-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
100V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
10.1 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
190nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
9000pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
4.5V, 10V
Vgs (最大)
±20V
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