Triode/MOS tube/transistor/module
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
メーカー
N-channel, VDSS withstand voltage 30V, ID current 150A, RDON on-resistance 2.4mR@VGS 10V(MAX), VGS(th) turn-on voltage 1.2-2.5V,
説明
N-channel, 25V, 60A, 9mΩ@10V
説明
N-Channel, PowerTrench MOSFET, 60V, 80 A, 3.8 mΩ
説明
NPN, Vceo=50V, Ic=100mA
説明
DIODES (US and Taiwan)
メーカー
APM (Jonway Microelectronics)
メーカー
TWGMC (Taiwan Dijia)
メーカー
Transistor type: PNP Collector-emitter breakdown voltage (Vceo): 25V Collector current (Ic): 500mA Power (Pd): 300mW DC current gain (hFE@Ic,Vce): 120@50mA,1V
説明
Potens (Bosheng Semiconductor)
メーカー
ST (STMicroelectronics)
メーカー