Triode/MOS tube/transistor/module
P+P channel, -30V, -7.3A, 29mΩ@-10V
説明
GOFORD (valley peak)
メーカー
Galaxy Microelectronics
メーカー
ST (STMicroelectronics)
メーカー
N-channel, 650V, 32A, 0.099Ω@10V
説明
Transistor type: PNP Collector-emitter breakdown voltage (Vceo): 25V Collector current (Ic): 500mA Power (Pd): 300mW DC current gain (hFE@Ic,Vce): 120@50mA,1V
説明
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
メーカー
N+N channel, VDSS withstand voltage 30V, ID current 5A, RDON on-resistance 23mR@VGS 4.5V(MAX), VGS(th) turn-on voltage 0.5-1.2V,
説明
CBI (Creation Foundation)
メーカー
PNP, Vceo=-32V, Ic=-2A, hfe=180~390
説明
AGM-Semi (core control source)
メーカー
N-channel, 650V, 4A, 2.7Ω@10V
説明
P-channel, 30V, 45A, 11.1mΩ@10V
説明
P-channel, 30V, 45A, 11.1mΩ@10V
説明
DIODES (US and Taiwan)
メーカー