Triode/MOS tube/transistor/module
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
メーカー
MOSFET N-channel, VDSS withstand voltage 500V, ID current 5A, RDON on-resistance 1.74R@VGS 10V(MAX), VGS(th) turn-on voltage 2.0-4.0V
説明
Prisemi (core guide)
メーカー
GOFORD (valley peak)
メーカー
DIODES (US and Taiwan)
メーカー
MOSFET Type N Drain-Source Voltage (Vdss) (V) 100 Threshold Voltage VGS ±20 Vth(V) 2-4 On-Resistance RDS(ON) (mΩ) 2.2/2.8 Continuous Drain Current ID (A) 210
説明
12A Insulated 3 Quadrants TRIACs IT(RMS): 12A VGT: ≤1.3V VDRM VRRM:800V TJ:-40~125℃
説明
Leiditech (Lei Mao Electronics)
メーカー
Type N VDS(V) 30V VGS(V) ±20V Vth(V) 1.5V RDS(ON)(mΩ) 21mΩ ID(A) 9.6A
説明
Drain-source voltage (Vdss): 250V Continuous drain current (Id): 120A MOS tube
説明
UMW (Friends Taiwan Semiconductor)
メーカー
Ruichips (Ruijun Semiconductor)
メーカー