Triode/MOS tube/transistor/module
DIODES (US and Taiwan)
メーカー
N-channel, 40V, 12A, 11mΩ@10V
説明
RealChip (Shenxin Semiconductor)
メーカー
N-channel Drain-source voltage (Vdss): 60V Continuous drain current (Id): 300mA Power (Pd): 0.35W On-resistance (RDS(on)Max@Vgs,Id): 2Ω@10V, 250mA
説明
LONTEN (Longteng Semiconductor)
メーカー
N-channel, 20V, 49A, 0.95mΩ@10V
説明
MOSFET Type N Drain-Source Voltage (Vdss) (V) 500 Threshold Voltage VGS ±30 Vth(V) 2-4 On-Resistance RDS(ON) (mΩ) 2600/3000 Continuous Drain Current ID (A) 3
説明
GOFORD (valley peak)
メーカー
N-channel, 40V, 13A, 10mΩ@10V
説明
CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
メーカー
AGM-Semi (core control source)
メーカー
BLDC (brushless motor) recommended material, Vds=40V Id=120A Rds=2.7mΩ (3.6mΩ max) DFN5*6encapsulation;
説明
Configuration Dual Type N-Ch VDS(V) 40 VGS(V) 20 ID(A)Max. 10 VGS(th)(v) 2.2 RDS(ON)(m?)@4.299V 17.7 Qg(nC)@4.5V 13.6 QgS(nC) 4.5 Qgd(nC) 6.4 Ciss(pF) 1500 Coss(pF) 250 Crss(pF) 135
説明