Triode/MOS tube/transistor/module
Taiwan Semiconductor
メーカー
60V, 0.3A, Single N-Channel Power MOSFET
説明
Galaxy Microelectronics
メーカー
25V,1.5A,General Purpose PNP Bipolar Transistor
説明
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
メーカー
China Resources Huajing
メーカー
TWGMC (Taiwan Dijia)
メーカー
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 30V Continuous Drain Current (Id): 4A Power (Pd): 1.4W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 55mΩ@10V, 4A Nch Road, 30V, 4A
説明
FUXINSEMI (Fuxin Senmei)
メーカー
Drain-source voltage (V) -20 Continuous drain current (Id) (A) -3.4 Threshold voltage (V) -1 Power (W) 1 On-resistance 37V(Ω) Input capacitance (pF) 550
説明
CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
メーカー
N-channel, 30V, 62A, 4mΩ@10V
説明
NCE (Wuxi New Clean Energy)
メーカー
N-channel, 20V, 0.2A, RDS(ON), 300mΩ@4.5V, 350mΩ@2.5V, 20Vgs(±V); 0.3Vth(V); SC75-6
説明
N-channel, 100V, 18A, RDS(ON), 115mΩ@10V, 121mΩ@4.5V, 20Vgs(±V); 1.6Vth(V); TO252
説明
N-channel, 80V, 110A, RDS(ON), 5.5mΩ@10V, 15mΩ@4.5V, 20Vgs(±V); 2.89Vth(V); TO252
説明
P-channel, -40V, -110A, RDS(ON), 4.8mΩ@10V, 6mΩ@4.5V, 20Vgs(±V); -2Vth(V); TO252
説明