Triode/MOS tube/transistor/module
NPN, Vceo=65V, Ic=100mA, hfe=200~450
説明
ST (STMicroelectronics)
メーカー
CBI (Creation Foundation)
メーカー
TWGMC (Taiwan Dijia)
メーカー
Transistor Type: PNP Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 45V Collector Current (Ic): 100mA Power (Pd): 200mW DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 220@2mA,5V
説明
TI (Texas Instruments)
メーカー
CSD25304W1015 20V P-Channel NexFET Power MOSFET 6-DSBGA
説明
TECH PUBLIC (Taizhou)
メーカー
SPTECH (Shenzhen Quality Super)
メーカー
NCE (Wuxi New Clean Energy)
メーカー
P+N double MOS tube, 40V/8A plus -40V/-7A,
説明
DIODES (US and Taiwan)
メーカー
NPN, Vceo=65V, Ic=100mA
説明