Triode/MOS tube/transistor/module
TI (Texas Instruments)
メーカー
ULN2803A Darlington Transistor Array
説明
XINGUAN (core crown)
メーカー
Gallium Nitride GaN 650V Power Transistor(FET)
説明
XINGUAN (core crown)
メーカー
Gallium Nitride GaN 650V Power Transistor(FET)
説明
Transistor type: NPN Collector-emitter breakdown voltage (Vceo): 30V Collector current (Ic): 3A Power (Pd): 500mW Collector cut-off current (Icbo): 1μA Collector-emitter saturation voltage (VCE(sat) @Ic,Ib): 500mV@2A HFE: 160-320
説明
SPS (American source core)
メーカー
MOSFET Type N+N Drain-Source Voltage (Vdss) (V) 30 Threshold Voltage VGS ±12 Vth(V) 0.7-1.5 On-Resistance RDS(ON) (mΩ) 22/28 Continuous Drain Current ID (A) 5.8
説明
Convert Semiconductor
メーカー
Double NPN, Vces=80V, Ic=1A
説明
DIODES (US and Taiwan)
メーカー