AGM-Semi (core control source)
画像はイメージの場合もございます。
商品詳細は仕様をご覧ください。
AGM20P07EL
AGM20P07EL
カテゴリー
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
メーカー/ブランド
AGM-Semi (core control source)
説明
Type: P-channel Drain-source voltage (Vdss): 20V Continuous Drain current (Id): 6.5A Power (Pd): 1.7W On-resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 16mΩ@4.5V, 4.1A Threshold voltage (Vgs(th)@Id): 0.7V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 7.8nC@4V Input capacitance (Ciss@Vds): 0.980nF@4V ,Vds=20v Id=6.5A Rds= 16mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23-3encapsulation;
リクエスト引用
必須フィールドをすべて入力し、
送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、
[email protected] まで電子メールを送信してください。 できるだけ早く対応させていただきます。
在庫あり 59795 PCS