AGM-Semi (core control source)
画像はイメージの場合もございます。
商品詳細は仕様をご覧ください。
商品詳細は仕様をご覧ください。
AGM55P10D
P-channel 100V 30A 52mΩ
部品番号
AGM55P10D
カテゴリー
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
メーカー/ブランド
AGM-Semi (core control source)
カプセル化
TO-252
パッキング
taping
パッケージの数
2500
説明
Type: P-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 100V Continuous Drain Current (Id): 30A Power (Pd): 50W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 52mΩ@10V,10A Threshold Voltage ( Vgs(th)@Id): 1.5V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 73nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 4.507nF@50V, Vds=100V Id=30A Rds=52mΩ, operating temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
リクエスト引用
必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。 できるだけ早く対応させていただきます。
在庫あり 96719 PCS
連絡先
関連製品
のキーワード AGM55P10D
AGM55P10D 電子部品
AGM55P10D 売上
AGM55P10D サプライヤー
AGM55P10D ディストリビュータ
AGM55P10D データテーブル
AGM55P10Dの写真
AGM55P10D 価格
AGM55P10D オファー
AGM55P10D 最安値
AGM55P10D 検索
AGM55P10D を購入中
AGM55P10D チップ