AGM-Semi (core control source)
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AGM609AP N-channel 60V 40A 6.5mΩ

AGM609AP

N-channel 60V 40A 6.5mΩ
部品番号
AGM609AP
カテゴリー
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
メーカー/ブランド
AGM-Semi (core control source)
カプセル化
DFN3x3
パッキング
taping
パッケージの数
5000
説明
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 60V Continuous Drain Current (Id): 40A Power (Pd): 25W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 6.5mΩ@10V,20A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.7V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 16nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 1.47nF@25V, Vds=60V Id=40A Rds=6.5mΩ, working Temperature: -55℃~+150℃@(Tj) DFN3*3encapsulation;
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