AGM-Semi (core control source)
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AGM60P90A
P-channel 60V 90A 8.2mΩ
カテゴリー
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
メーカー/ブランド
AGM-Semi (core control source)
説明
Type: P-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 60V Continuous Drain Current (Id): 90A Power (Pd): 135W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 8.2mΩ@10V,25A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.8V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 138nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 6.55nF@30V, Vds=60V Id=90A Rds=8.2mΩ, working Temperature: -55℃~+150℃@(Tj) DFN5*6encapsulation;
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