AGM-Semi (core control source)
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AGM612D N-channel 60V 50A 11mΩ

AGM612D

N-channel 60V 50A 11mΩ
部品番号
AGM612D
カテゴリー
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
メーカー/ブランド
AGM-Semi (core control source)
カプセル化
TO-252
パッキング
taping
パッケージの数
2500
説明
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 60V Continuous Drain Current (Id): 50A Power (Pd): 78W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 11mΩ@10V,20A Threshold Voltage ( Vgs(th)@Id): 1.5V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 17nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 1nF@15V, Vds=60V Id=50A Rds=11mΩ, operating temperature: - 55℃~+150℃@(Tj)
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