AGM-Semi (core control source) AGM612MBP N+N channel 60V 29A 10.5mΩ を購入

AGM-Semi (core control source)

画像はイメージの場合もございます。
商品詳細は仕様をご覧ください。

AGM612MBP

N+N channel 60V 29A 10.5mΩ

部品番号

AGM612MBP

カテゴリー

Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)

メーカー/ブランド

AGM-Semi (core control source)

カプセル化

PDFN3.3x3.3

パッキング

taping

パッケージの数

5000

説明

Type: Dual N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 60V Continuous Drain Current (Id): 29A Power (Pd): 20.8W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 10.5mΩ@10V,15A Threshold voltage (Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 8.7nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 0.76nF@30V , Vds=60V Id=29A Rds=10.5 mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@(Tj)DFN3.3*3.3encapsulation;

リクエスト引用

必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。できるだけ早く対応させていただきます。

在庫あり 97097 PCS

連絡先