AGM-Semi (core control source)
画像はイメージの場合もございます。
商品詳細は仕様をご覧ください。
AGMH606C
AGMH606C
カテゴリー
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
メーカー/ブランド
AGM-Semi (core control source)
説明
Type: N-Channel High Turn-On Drain-Source Voltage (Vdss): 68V Continuous Drain Current (Id): 80A Power (Pd): 147W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 6.6mΩ@10V,30A Threshold voltage (Vgs(th)@Id): 3.0V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 35nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 4nF@25V , Vds=68V Id=80A Rds=6.6mΩ, Working temperature: -55℃~+150℃@(Tj);
リクエスト引用
必須フィールドをすべて入力し、
送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、
[email protected] まで電子メールを送信してください。 できるだけ早く対応させていただきます。
在庫あり 63920 PCS