DIODES (US and Taiwan)
画像はイメージの場合もございます。
商品詳細は仕様をご覧ください。
商品詳細は仕様をご覧ください。
DGD2012S8-13
Half-bridge MOSFET sink current 1.9A source current 2.3A
部品番号
DGD2012S8-13
カテゴリー
Power Chip > Gate Driver IC
メーカー/ブランド
DIODES (US and Taiwan)
カプセル化
SO-8
パッキング
taping
パッケージの数
2500
説明
リクエスト引用
必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。 できるだけ早く対応させていただきます。
在庫あり 96677 PCS
連絡先
関連製品
Low side High side IGBT MOSFET sink current 600mA source current 290mA
DIODES (US and Taiwan)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 600mA source current 290mA
DIODES (US and Taiwan)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 600mA source current 290mA
DIODES (US and Taiwan)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 290mA source current 600mA
DIODES (US and Taiwan)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 600mA source current 290mA
DIODES (US and Taiwan)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 350mA source current 200mA
DIODES (US and Taiwan)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 2.3A source current 1.9A
DIODES (US and Taiwan)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 1.8A source current 1.4A
DIODES (US and Taiwan)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 4.5A source current 4.5A
DIODES (US and Taiwan)
のキーワード DGD2012S8-13
DGD2012S8-13 電子部品
DGD2012S8-13 売上
DGD2012S8-13 サプライヤー
DGD2012S8-13 ディストリビュータ
DGD2012S8-13 データテーブル
DGD2012S8-13の写真
DGD2012S8-13 価格
DGD2012S8-13 オファー
DGD2012S8-13 最安値
DGD2012S8-13 検索
DGD2012S8-13 を購入中
DGD2012S8-13 チップ