HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
画像はイメージの場合もございます。
商品詳細は仕様をご覧ください。
ES1D 200V 1A 35ns

ES1D

200V 1A 35ns
部品番号
ES1D
カテゴリー
Diodes > Fast Recovery/Ultra Fast Recovery Diodes
メーカー/ブランド
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
カプセル化
SMA
パッキング
taping
パッケージの数
2000
説明
Diode configuration: Independent DC reverse withstand voltage (Vr): 200V Average rectified current (Io): 1A Forward voltage drop (Vf): 950mV@1A Reverse current (Ir): 5uA@200V Reverse recovery time (trr ): 35ns Operating temperature: -65℃~+150℃@(Tj)
リクエスト引用
必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。 できるだけ早く対応させていただきます。
在庫あり 71452 PCS
連絡先
のキーワード ES1D
ES1D 電子部品
ES1D 売上
ES1D サプライヤー
ES1D ディストリビュータ
ES1D データテーブル
ES1Dの写真
ES1D 価格
ES1D オファー
ES1D 最安値
ES1D 検索
ES1D を購入中
ES1D チップ