HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
画像はイメージの場合もございます。
商品詳細は仕様をご覧ください。
ES1D
200V 1A 35ns
カテゴリー
Diodes > Fast Recovery/Ultra Fast Recovery Diodes
メーカー/ブランド
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
説明
Diode configuration: Independent DC reverse withstand voltage (Vr): 200V Average rectified current (Io): 1A Forward voltage drop (Vf): 950mV@1A Reverse current (Ir): 5uA@200V Reverse recovery time (trr ): 35ns Operating temperature: -65℃~+150℃@(Tj)
リクエスト引用
必須フィールドをすべて入力し、
送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、
[email protected] まで電子メールを送信してください。 できるだけ早く対応させていただきます。
在庫あり 71452 PCS