HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
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ES1M
1kV 1A 70ns
部品番号
ES1M
カテゴリー
Diodes > Fast Recovery/Ultra Fast Recovery Diodes
メーカー/ブランド
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
カプセル化
SMA
パッキング
taping
パッケージの数
2000
説明
Diode configuration: Independent DC reverse withstand voltage (Vr): 1kV Average rectified current (Io): 1A Forward voltage drop (Vf): 1.7V@1A Reverse current (Ir): 5uA@1kV Reverse recovery time ( trr): 70ns Operating temperature: -65℃~+150℃@(Tj)
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