onsemi (Ansemi) FDFMA2P029Z-F106 P-Channel 20V 3.1A Integrated P-Channel, Power Trench MOSFET and Schottky Diode, -20V, 3.1A, 95mΩ を購入

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onsemi (Ansemi)

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FDFMA2P029Z-F106

P-Channel 20V 3.1A Integrated P-Channel, Power Trench MOSFET and Schottky Diode, -20V, 3.1A, 95mΩ

部品番号

FDFMA2P029Z-F106

カテゴリー

Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)

メーカー/ブランド

onsemi (Ansemi)

カプセル化

WDFN-6

パッキング

taping

パッケージの数

3000

説明

The device is specifically designed as a single-encapsulation solution for battery charging switches in cell phones and other ultra-portable applications. It features a MOSFET with very low on-resistance, and a separately connected low forward voltage Schottky diode for lowest conduction losses. MicroFET 2X2 encapsulation provides excellent thermal performance relative to physical size for linear mode applications.

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