onsemi (Ansemi)
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FDFS2P106A P-Channel 60V 3A Integrated P-Channel, Power Trench MOSFET and Schottky Diode, -60V, -3.0 A, 110mΩ

FDFS2P106A

P-Channel 60V 3A Integrated P-Channel, Power Trench MOSFET and Schottky Diode, -60V, -3.0 A, 110mΩ
部品番号
FDFS2P106A
カテゴリー
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
メーカー/ブランド
onsemi (Ansemi)
カプセル化
SO-8
パッキング
taping
パッケージの数
2500
説明
The FDFS2P106A combines the superior performance of PowerTrench MOSFET technology with an extremely low positive voltage drop Schottky barrier rectifier within an SO-8 encapsulation. This device is ideally suited as a single encapsulation solution for DC-DC converters. It features fast switching, low gate charge MOSFETs with very low on-resistance. Independently connected Schottky diodes allow it to be used in various DC/DC converter topologies.
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