onsemi (Ansemi)
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HGT1S10N120BNST
NPT 298W 1.2kV 35A IGBT, 1200V, NPT
部品番号
HGT1S10N120BNST
カテゴリー
Transistor/MOS tube/transistor > IGBT tube/module
メーカー/ブランド
onsemi (Ansemi)
カプセル化
TO-263AB
パッキング
taping
パッケージの数
800
説明
The HGT1S10N120BNST is based on a No Through Punch (NPT) IGBT design. This IGBT is suitable for a variety of high voltage switching applications operating at medium frequencies where low conduction losses are critical, such as UPS, solar inverters, motor control and power supplies.
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