HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
画像はイメージの場合もございます。
商品詳細は仕様をご覧ください。
商品詳細は仕様をご覧ください。
HXY2N65D
N-channel 650V 2A
部品番号
HXY2N65D
カテゴリー
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
メーカー/ブランド
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
カプセル化
TO-252-2L
パッキング
taping
パッケージの数
2500
説明
Field effect transistor (MOSFET) N-channel, VDSS withstand voltage 650V, ID current 2A, RDON on-resistance 5R@VGS 10V(MAX), VGS(th) turn-on voltage 2.0-4.0V
リクエスト引用
必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。 できるだけ早く対応させていただきます。
在庫あり 62722 PCS
連絡先
関連製品
のキーワード HXY2N65D
HXY2N65D 電子部品
HXY2N65D 売上
HXY2N65D サプライヤー
HXY2N65D ディストリビュータ
HXY2N65D データテーブル
HXY2N65Dの写真
HXY2N65D 価格
HXY2N65D オファー
HXY2N65D 最安値
HXY2N65D 検索
HXY2N65D を購入中
HXY2N65D チップ