MSKSEMI (Mesenco)
画像はイメージの場合もございます。
商品詳細は仕様をご覧ください。
商品詳細は仕様をご覧ください。
L2N7002DW1T1G-MS
L2N7002DW1T1G-MS
部品番号
L2N7002DW1T1G-MS
カテゴリー
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
メーカー/ブランド
MSKSEMI (Mesenco)
カプセル化
SOT-363
パッキング
taping
パッケージの数
3000
説明
MOS tube type: 2 N-channel Drain-source voltage (Vdss): 60V Continuous drain current (Id): 300mA Power (Pd): 280mW On-resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.8Ω@10V ,300mA
リクエスト引用
必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。 できるだけ早く対応させていただきます。
在庫あり 89090 PCS
連絡先
関連製品
のキーワード L2N7002DW1T1G-MS
L2N7002DW1T1G-MS 電子部品
L2N7002DW1T1G-MS 売上
L2N7002DW1T1G-MS サプライヤー
L2N7002DW1T1G-MS ディストリビュータ
L2N7002DW1T1G-MS データテーブル
L2N7002DW1T1G-MSの写真
L2N7002DW1T1G-MS 価格
L2N7002DW1T1G-MS オファー
L2N7002DW1T1G-MS 最安値
L2N7002DW1T1G-MS 検索
L2N7002DW1T1G-MS を購入中
L2N7002DW1T1G-MS チップ