onsemi (Ansemi)
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MBRA1H100T3G
100V 1A 760mV@1A Schottky diodePower rectifier, 1.0 A, 100 V
部品番号
MBRA1H100T3G
カテゴリー
diode > Schottky diode
メーカー/ブランド
onsemi (Ansemi)
カプセル化
SMA
パッキング
taping
パッケージの数
5000
説明
The Schottky diode uses the Schottky diode barrier principle and uses a metal-silicon Power rectifier. It employs an epitaxial structure with oxide passivation and metal-covered contacts. This is suitable for low-voltage high-frequency switching power supply, freewheeling diode and polarity protection diode.
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