onsemi (Ansemi)
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MBRA320T3G 20V 3A 500mV@3A Schottky diodePower rectifier, 3.0 A, 20 V

MBRA320T3G

20V 3A 500mV@3A Schottky diodePower rectifier, 3.0 A, 20 V
部品番号
MBRA320T3G
カテゴリー
diode > Schottky diode
メーカー/ブランド
onsemi (Ansemi)
カプセル化
SMA (DO-214AC)
パッキング
taping
パッケージの数
5000
説明
The Schottky diode adopts the Schottky diode potential barrier principle in the large-area metal-silicon power diode. The Schottky diode's advanced geometry employs oxide passivation and epitaxy with metal-covered contacts. The device is suitable for low-voltage, high-frequency rectification, or applications employing freewheeling and polarity protection diodes, where compact size and weight are critical to the system.
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