onsemi (Ansemi) MBRAF260T3G 60V 2A 630mV@2A 60 V, 2.0 A Low VF Schottky diode を購入

onsemi (Ansemi)

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MBRAF260T3G

60V 2A 630mV@2A 60 V, 2.0 A Low VF Schottky diode

部品番号

MBRAF260T3G

カテゴリー

diode > Schottky diode

メーカー/ブランド

onsemi (Ansemi)

カプセル化

SMA-FL

パッキング

taping

パッケージの数

5000

説明

The Schottky diode uses the Schottky diode potential barrier principle and adopts a large-area metal-silicon power diode. Advanced geometries feature epitaxial structures with oxide passivation and metal-covered contacts. The device is suitable for low-voltage, high-frequency rectification, or applications employing freewheeling and polarity protection diodes, where compact size and weight are critical to the system.

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