onsemi (Ansemi) MBRAF3200T3G 200V 3A 840mV@3A 200V, 3.0A, Schottky diode を購入

onsemi (Ansemi)

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MBRAF3200T3G

200V 3A 840mV@3A 200V, 3.0A, Schottky diode

部品番号

MBRAF3200T3G

カテゴリー

diode > Schottky diode

メーカー/ブランド

onsemi (Ansemi)

カプセル化

SMA-FL

パッキング

taping

パッケージの数

5000

説明

The Schottky diode uses the Schottky diode potential barrier principle and adopts a large-area metal-silicon power diode. Advanced geometries feature epitaxial structures with oxide passivation and metal-covered contacts. The device is suitable for low-voltage, high-frequency rectification, or applications employing freewheeling and polarity protection diodes, where compact size and weight are critical to the system.

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