onsemi (Ansemi)
画像はイメージの場合もございます。
商品詳細は仕様をご覧ください。
商品詳細は仕様をご覧ください。
MJD5731T4G
PNP 350V 1A 1.0 A, 350 V, High Voltage, PNP Bipolar Power Transistor
部品番号
MJD5731T4G
カテゴリー
Triode/MOS Tube/Transistor > Triode(BJT)
メーカー/ブランド
onsemi (Ansemi)
カプセル化
TO-252-2(DPAK)
パッキング
taping
パッケージの数
2500
説明
This high-voltage bipolar PNP power transistor is suitable for line-powered audio output amplifiers, switch-mode power drivers, and other switching applications.
リクエスト引用
必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。 できるだけ早く対応させていただきます。
在庫あり 69997 PCS
連絡先
関連製品
のキーワード MJD5731T4G
MJD5731T4G 電子部品
MJD5731T4G 売上
MJD5731T4G サプライヤー
MJD5731T4G ディストリビュータ
MJD5731T4G データテーブル
MJD5731T4Gの写真
MJD5731T4G 価格
MJD5731T4G オファー
MJD5731T4G 最安値
MJD5731T4G 検索
MJD5731T4G を購入中
MJD5731T4G チップ