onsemi (Ansemi)
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NGTD13T65F2WP
Trench Field Stop 650V IGBT 650V 30A FS2 Die
部品番号
NGTD13T65F2WP
カテゴリー
Transistor/MOS tube/transistor > IGBT tube/module
メーカー/ブランド
onsemi (Ansemi)
カプセル化
SMD
パッキング
bagged
パッケージの数
1
説明
Utilizing a durable and cost-effective field-stop II trench structure, this insulated-gate bipolar transistor (IGBT) provides excellent performance in demanding switching applications and also offers low on-state voltage and lowest switching losses .
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