onsemi (Ansemi)
画像はイメージの場合もございます。
商品詳細は仕様をご覧ください。
商品詳細は仕様をご覧ください。
NSVBAS16W1T1G
100V 200mA 1.2V@100mA Ultra High Speed Switching Diodes - Tri Configuration in SC-88 encapsulation
部品番号
NSVBAS16W1T1G
カテゴリー
Diodes > Switching Diodes
メーカー/ブランド
onsemi (Ansemi)
カプセル化
SC-88-6
パッキング
taping
パッケージの数
3000
説明
This silicon epitaxial planar diode is suitable for ultra-high-speed switching applications. The device is a three diode configuration with SC?88 encapsulation and is suitable for low power surface mount applications where PCB space is at a premium.
リクエスト引用
必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。 できるだけ早く対応させていただきます。
在庫あり 64626 PCS
連絡先
関連製品
2 NPN-Pre-biased 100mA 50V Dual NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
onsemi (Ansemi)
2 PNP-Prebiased 100mA 50V Dual PNP Bipolar Digital Transistors (BRTs)
onsemi (Ansemi)
100V 200mA 1.2V@100mA Ultra High Speed Switching Diodes - Tri Configuration in SC-88 encapsulation
onsemi (Ansemi)
250V 225mA 1.25V@200mA 250 V High Voltage Switching Diode, Dual, Series
onsemi (Ansemi)
のキーワード NSVBAS16W1T1G
NSVBAS16W1T1G 電子部品
NSVBAS16W1T1G 売上
NSVBAS16W1T1G サプライヤー
NSVBAS16W1T1G ディストリビュータ
NSVBAS16W1T1G データテーブル
NSVBAS16W1T1Gの写真
NSVBAS16W1T1G 価格
NSVBAS16W1T1G オファー
NSVBAS16W1T1G 最安値
NSVBAS16W1T1G 検索
NSVBAS16W1T1G を購入中
NSVBAS16W1T1G チップ