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AO4600C
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
部品番号
AO4600C
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Preliminary
包装
-
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
パワー - 最大
2W
サプライヤーデバイスパッケージ
8-SOIC
FETタイプ
N and P-Channel
FETの特徴
Standard
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
30V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
7.5A (Ta), 5.6A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
23 mOhm @ 7.5A, 10V, 42 mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
1.5V @ 250µA, 1.3V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
12nC @ 4.5V, 12.2nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1100pF @ 15V, 1200pF @ 15V
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