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CXDM3069N TR

CXDM3069N TR

MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-89
部品番号
CXDM3069N TR
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Cut Tape (CT)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-243AA
サプライヤーデバイスパッケージ
SOT-89
消費電力(最大)
1.2W (Ta)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
30V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
6.9A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
30 mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
1.4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
11nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
580pF @ 15V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
2.5V, 10V
Vgs (最大)
12V
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在庫あり 53070 PCS
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