C2M0045170P
ZFET SIC DMOSFET, 1700V VDS, RDS
部品番号
C2M0045170P
メーカー/ブランド
シリーズ
C2M™
部品のステータス
Active
包装
-
テクノロジー
SiCFET (Silicon Carbide)
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-247-4
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-247-4L
消費電力(最大)
520W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
1700V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
72A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
59 mOhm @ 50A, 20V
Vgs(th) (最大) @ ID
4V @ 18mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
188nC @ 20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
3672pF @ 1000V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
20V
Vgs (最大)
+25V, -10V
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