CAS100H12AM1
MOSFET 2N-CH 1200V 168A MODULE
部品番号
CAS100H12AM1
メーカー/ブランド
シリーズ
Z-FET™
部品のステータス
Obsolete
包装
Bulk
動作温度
-
取付タイプ
Chassis Mount
パッケージ・ケース
Module
パワー - 最大
568W
サプライヤーデバイスパッケージ
Module
FETタイプ
2 N-Channel (Half Bridge)
FETの特徴
Standard
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
1200V (1.2kV)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
168A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
20 mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (最大) @ ID
3.1V @ 50mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
-
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
9500pF @ 800V
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