CAS325M12HM2
MOSFET 2N-CH 1200V 444A MODULE
部品番号
CAS325M12HM2
メーカー/ブランド
シリーズ
Z-REC™
部品のステータス
Active
包装
Bulk
動作温度
175°C (TJ)
取付タイプ
-
パッケージ・ケース
Module
パワー - 最大
3000W
サプライヤーデバイスパッケージ
Module
FETタイプ
2 N-Channel (Half Bridge)
FETの特徴
Silicon Carbide (SiC)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
1200V (1.2kV)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
444A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
4.3 mOhm @ 400A, 20V
Vgs(th) (最大) @ ID
4V @ 105mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
1127nC @ 20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
-
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