CPMF-1200-S080B
MOSFET N-CHANNEL 1200V 50A DIE
部品番号
CPMF-1200-S080B
メーカー/ブランド
シリーズ
Z-FET™
部品のステータス
Obsolete
包装
Bulk
テクノロジー
SiCFET (Silicon Carbide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
Die
サプライヤーデバイスパッケージ
Die
消費電力(最大)
313mW (Tj)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
1200V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
50A (Tj)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
110 mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (最大) @ ID
4V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
90.8nC @ 20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1915pF @ 800V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
20V
Vgs (最大)
+25V, -5V
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